Львівський державний університет безпеки життєдіяльності Біполярні транзистори Методичні вказівки до лабораторної роботи з дисципліни «Мікросхемотехніка» для курсантів (студентів) 2-го курсу напрямку підготовки «Управління інформаційною безпекою» Затверджено на засіданні кафедри інформаційних технологій та телекомунікаційних систем Протокол №___ від ____________2010 р. Львів Біполярні транзистори: Методичні вказівки до лабораторної робот з дисципліни «Мікросхемотехніка» для курсантів (студентів) напрямку підготовки «Управління інформаційною безпекою». Укладач Борзов Ю.О. Рецензент Цибуляк Б.З., канд..фіз.-мат. наук Тема. Дослідження біполярних транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench. Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням біполярних транзисторів. Теоретичні відомості Розділ “Транзистори” (рис. 1) містить біполярні та польові транзистори.
Рис.1. Розглянемо властивості біполярного транзистора, які задаються користувачем, для цього потрібно натиснути два рази лівою кнопкою мишки на транзисторі. Якщо потрібно змінити параметри то натисніть кнопку “Редактировать модель”. У діалоговому вікні (рис. 2), можна задати такі параметри транзистора: IS - зворотний струм колекторного переходу, A; BF - коефіцієнт підсилення струму в схемі з ЗЕ H21; NF - коефіцієнт неідеальності в нормальному режимі; VAF - напруга Ерлі, близька до параметра Uк max, В; ISE - зворотний струм емітерного переходу, А; IKF - струм спаду посилення за струмом, близький до параметра Iкmax, А; NE - коефіцієнт неідеальності емітерного переходу; BR - коефіцієнт підсилення струму в схемі з ЗЕ при інверсному увімкненні транзистора, емітер і колектор міняються місцями; NR - коефіцієнт неідеальності в інверсному режимі; VAR – зворотна напруга; IKR – значення струму, при якому розпочинається зменшення коефіцієнта підсилення в інверсному режимі, А;
Рис. 2 ISC – зворотний струм колекторного переходу; NC - коефіцієнт неідеальності колекторного переходу; RB - об'ємний опір бази, Ом; IRB - струм бази, при якому опір бази зменшується на 50% від різниці RB-RBM, A; RBM - мінімальний опір бази при великих струмах, Ом; RE - об'ємний опір емітера, Ом; RC - об'ємний опір колектора, Ом; СJE - ємність емітерного переходу при нульовій напрузі, Ф; CJC - ємність колекторного переходу при нульовій напрузі, Ф; CJS - ємність колектор-підкладка, Ф; XTF - коефіцієнт, що визначає залежність часу TF переносу зарядів через базу від напруги колектор-база; VTF - напруга колектор-база, при якій починає позначатися його вплив на TF, В; ITF - струм колектора, при якому починається позначатися його вплив на TF, А; TF - час переносу заряду через базу, с; TR - час переносу заряду через базу в інверсному вмиканні, с; MJE - коефіцієнт плавності емітерного переходу; MJC - коефіцієнт плавності колекторного переходу; VJC - контактна різниця потенціалів переходу база-колектор, В; VJE - контактна різниця потенціалів переходу база-емітер, В; PTF - додатковий фазовий зсув на граничній частоті транзистора Fгр=1/(2(ТF), град.; VJS - контактна різниця потенціалів переходу колектор-підкладка,В; MJS - коефіцієнт плавності переходу колектор-підкладка; XCJC - коефіцієнт розщеплення ємності база-колектор; FC - коефіцієнт нелінійності бар'єрної ємності прямозміщених переходів; EG - ширина забороненої зони, еВ; ХТВ - температурний коефіцієнт підсилення струму в нормальному й інверсному режимах; XТI - температурний коефіцієнт струму насичення; КF - коефіцієнт флікер-шуму; AF - показник ступеня у формулі для флікер-шуму; TNOM - температура транзистора, С0. Розрізняють три схеми увімкнення біполярних транзисторів: із спільною базою (СБ), із спільним емітером (СЕ), із спільним колектором (СК), показані на рис.3. СБ) СЕ) СК) Рисунок.3 - Основні схеми увімкнення транзисторів При цьому кожна схема ...